降低CVT低压端子杂散电容和杂散电导的一个途径

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降低CVT低压端子杂散电容和杂散电导的一个途径

更新时间：2024-09-14

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- 降低CVT低压端子杂散电容和杂散电导的一个途径
- 降低CVT低压端子杂散电容和杂散电导的一个途径
- 电力电容器与无功补偿 1998年第1期页码：28-32
- 作者机构：
  
  丹东电力电容器厂
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号： TM45
- 纸质出版日期：1998，
- 稿件说明：
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[1]田阳,吕瑜之.降低CVT低压端子杂散电容和杂散电导的一个途径[J].电力电容器,1998(01):28-32.

降低CVT低压端子杂散电容和杂散电导的一个途径. [J]. Power capacitor & reactive power compensation, 1998, (1): 28-32.
[1]田阳,吕瑜之.降低CVT低压端子杂散电容和杂散电导的一个途径[J].电力电容器,1998(01):28-32. DOI：

降低CVT低压端子杂散电容和杂散电导的一个途径. [J]. Power capacitor & reactive power compensation, 1998, (1): 28-32. DOI：

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