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电容器薄膜屏带形成方法及特点
更新时间：2024-09-14
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    • 电容器薄膜屏带形成方法及特点

    • 电容器薄膜屏带形成方法及特点

    • 电力电容器与无功补偿   2000年第2期 页码：43-44

    • DOI：10.14044/j.1674-1757.pcrpc.2000.02.012    

      中图分类号： TM53

    • 纸质出版日期：2000，

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  • [1]干蜀毅,陈长琦.电容器薄膜屏带形成方法及特点[J].电力电容器,2000,{4}(02):43-44. DOI： 10.14044/j.1674-1757.pcrpc.2000.02.012.

    电容器薄膜屏带形成方法及特点. [J]. Power capacitor & reactive power compensation, 2000, (2): 43-44. DOI： 10.14044/j.1674-1757.pcrpc.2000.02.012.

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相关作者

江正平
陆舜昭
阎丽君
王昌长
郑光辉
郑振中
程浩忠
尹克宁

相关机构

西安电力电容器研究所
锦州电力电容器厂
  清华大学电机工程与应用电子技术系  
  美国南加州大学电机工程系  
上海交通大学电力系
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