断路器断口均压电容器10 kV下介损偏高原因分析

您当前的位置：

首页 >

文章列表页 >

电容器 | 更新时间：2024-09-14

- 断路器断口均压电容器10 kV下介损偏高原因分析
- Analysis of Cause of High Dielectric Loss Under 10 kV Stress of Grading Capacitor Across Open Contacts of Circuit Breaker
- 电力电容器与无功补偿 2021年42卷第4期页码：165-169
- 作者机构：
  
  1. 国网湖南省电力有限公司电力科学研究院
  2. 国网湖南省电力有限公司岳阳供电分公司
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：10.14044/j.1674-1757.pcrpc.2021.04.023
  中图分类号： TM561
- 纸质出版日期：2021，
- 稿件说明：
移动端阅览
孙利朋, 刘赟, 黎刚, 等. 断路器断口均压电容器10 kV下介损偏高原因分析[J]. 电力电容器与无功补偿, 2021,42(4):165-169.

SUN LIPENG, LIU YUN, LI GANG, et al. Analysis of Cause of High Dielectric Loss Under 10 kV Stress of Grading Capacitor Across Open Contacts of Circuit Breaker. [J]. Power capacitor & reactive power compensation, 2021, 42(4): 165-169.
孙利朋, 刘赟, 黎刚, 等. 断路器断口均压电容器10 kV下介损偏高原因分析[J]. 电力电容器与无功补偿, 2021,42(4):165-169. DOI： 10.14044/j.1674-1757.pcrpc.2021.04.023.

SUN LIPENG, LIU YUN, LI GANG, et al. Analysis of Cause of High Dielectric Loss Under 10 kV Stress of Grading Capacitor Across Open Contacts of Circuit Breaker. [J]. Power capacitor & reactive power compensation, 2021, 42(4): 165-169. DOI： 10.14044/j.1674-1757.pcrpc.2021.04.023.

本文针对国内某工程交接试验中大量10 kV下介损超标的断路器断口均压电容器

开展了高压介损、局部放电、密封性试验、油色谱分析等试验

发现电容量与试验电压、介损值的减小值和电容量的减小值、金属颗粒含量与10 k V下介损值有一定的关系

对其原因进行了综合分析

可为后续的相关研究提供参考。

In view of grading capacitor with a large number of excessive 10 kV dielectric loss in a certain handover test in China in this paper

the test such as high-voltage dielectric loss

partial discharge

tightness and oil chromatogram analysis are performed.If is found that capacitance and the test voltage

reduction of dielectric loss and capacitance

contents of metal particle have a definite relationship with10 k V dielectric loss value.The causes are comprehensively analyzed

which can provide reference for the subsequent related study.

电容器介质损耗断路器Garton效应

capacitordielectric losscircuit breakerGarton effect

浏览量

下载量

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。

提交

工具集

关联资源

真空断路器故障引起电容器组带电原因分析

基于国产粒子的BOPP膜性能测试及高压电容器试验研究

中压输电线路1 kHz高频融冰优化分析

金属化膜电容器的恒定湿热试验

膜纸复合绝缘电容器介损（tanδ）标准的讨论